▲布魯克NANOSTAR高亮度納米星小角X射線散射儀

  小角X射線散射儀主要用于研究材料的納米結(jié)構(gòu)。該設(shè)備對(duì)應(yīng)的小角X射線散射（SAXS）技術(shù)的研究手段主要包括透射小角X射線散射（TSAXS）和掠入射二維小角和廣角X射線散射（2D GISAXS和2D GIWAXS）。

  對(duì)應(yīng)于這些研究手段，其主要應(yīng)用方向分為下面幾個(gè)方面：

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聚合物材料

  聚合物材料廣泛地應(yīng)用在實(shí)際生活中的各行各業(yè)。而在聚合物材料加工過(guò)程中，半結(jié)晶性聚合物材料內(nèi)部周期性納米層狀結(jié)構(gòu)的改變以及材料內(nèi)部的納米級(jí)缺陷等直接影響聚合物材料的性能。TSAXS技術(shù)可以原位分析聚合物材料的納米層狀結(jié)構(gòu)的實(shí)時(shí)變化及缺陷的產(chǎn)生。這種結(jié)構(gòu)的變化與材料的性能相聯(lián)系可以指導(dǎo)材料的生產(chǎn)和加工過(guò)程。

  聚合物材料除了上述常用的本體材料外，也常進(jìn)行溶液自組裝形成膠束作為藥物的載體研發(fā)靶向藥物等。以兩親性嵌段共聚物溶液自組裝研究為例。兩親性嵌段共聚物在選擇性溶劑中可以形成各種不同形狀的自組裝體，例如球狀和棒狀膠束，多層囊泡等。不同形狀和大小的膠束的載藥能力均有改變。TSAXS可以原位測(cè)試溶液樣品并得到統(tǒng)計(jì)性的膠束形貌和尺寸信息，TSAXS還可以用來(lái)跟蹤改變?nèi)軇┏煞只蚯抖喂簿畚锲渲幸欢魏孔兓瘯r(shí)的膠束形貌變化。

 ▲聚合物樣品

2

碳基材料

  重要的碳基材料是碳纖維。碳纖維往往添加到別的材料中來(lái)提高其性能。目前的難點(diǎn)是如何表征碳纖維本身的結(jié)構(gòu)，例如影響碳纖維本身質(zhì)量的內(nèi)部的取向孔洞。顯微學(xué)方法因無(wú)法看到樣品內(nèi)部的結(jié)構(gòu)信息而無(wú)法對(duì)碳纖維進(jìn)行表征。TSAXS是表征碳纖維的方法。因?yàn)門(mén)SAXS可以穿透樣品得到含有取向孔洞的取向信息和長(zhǎng)度尺寸的二維譜圖，進(jìn)一步分析可得到孔洞長(zhǎng)度和取向分布。

  近幾年碳納米管的研究和使用也不斷進(jìn)步。同樣作為碳基材料，碳納米管常常作為添加劑來(lái)提高主要材料的某種性能。TSAXS也常用來(lái)分析碳納米管在材料中的分散情況。

 ▲纖維材料

3

多孔材料方向

  傳統(tǒng)測(cè)試多孔材料的方法是氣體吸附法。氣體吸附法在進(jìn)行測(cè)試前需要將粉末樣品干燥，結(jié)果包括平均孔洞尺寸和比表面積。但是傳統(tǒng)的氣體吸附法只能測(cè)試開(kāi)放的孔，無(wú)法測(cè)試封閉孔的信息。而TSAXS技術(shù)中的X射線可以穿透樣品，其信號(hào)強(qiáng)度來(lái)源于樣品內(nèi)部的電子密度波動(dòng)，所以TSAXS可以得到包括封閉孔和開(kāi)放孔在內(nèi)的所有孔的信息。不但可以得到孔的尺寸，還可以得到粉末樣品的比表面積。

4

有機(jī)無(wú)機(jī)雜化材料

  有機(jī)無(wú)機(jī)雜化材料常常使用無(wú)機(jī)填料例如納米二氧化硅，碳納米管等來(lái)提高聚合物材料的力學(xué)性能等。而納米二氧化硅只有在充分分散形成三維網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)時(shí)才能提高聚合物的性能，聚集成一團(tuán)的二氧化硅顆粒是需要避免的。只有使用能夠穿透樣品的TSAXS技術(shù)結(jié)合分形理論才能分析納米二氧化硅在聚合物中的存在狀態(tài)。

 ▲納米復(fù)合物

5

膠體材料

  以無(wú)機(jī)納米顆粒溶液為例。傳統(tǒng)的TEM表征方法需要將這些納米顆粒溶液轉(zhuǎn)移到銅膜上然后觀察。不可避免的是在制備過(guò)程中納米顆粒已經(jīng)發(fā)生了聚集，并且TEM得到的是少量納米顆粒直觀和細(xì)節(jié)性的信息，很難得到統(tǒng)計(jì)性的信息。而 TSAXS可以直接測(cè)試溶液樣品并得到統(tǒng)計(jì)性的樣品形貌和尺寸信息，該形貌和大小為溶液中納米顆粒真實(shí)和具有統(tǒng)計(jì)性的信息。因此TSAXS是表征納米顆粒溶液的手段之一。進(jìn)一步TSAXS可以用來(lái)跟蹤溶液中納米顆粒的形貌變化。

6

薄膜材料

  因?yàn)榛椎挠绊?，薄膜材料與本體材料的相行為很可能*不同?，F(xiàn)在的硅基底薄膜材料主要集中在有機(jī)光電材料(例如太陽(yáng)能電池材料)和嵌段共聚物薄膜方向。其中對(duì)于有機(jī)光電材料，其器件往往以薄膜的形式出現(xiàn)。該薄膜在基底上的納米結(jié)構(gòu)(例如太陽(yáng)能電池薄膜中P3HT的取向排列及PCBM的聚集態(tài))可能直接影響其光電性能。由于光電薄膜往往厚度往往很小，常常在100nm左右，因此為了從厚度很小的薄膜獲得足夠強(qiáng)的信號(hào)，以很小的角度例如0.2?入射確保X射線可以覆蓋更大面積的樣品以獲得更強(qiáng)的信號(hào)，掠入射二維小角和二維廣角X射線散射(2DGISAXS和2D GIWAXS)技術(shù)就成為了必選，其中2DGISAXS用于研究PCBM的聚集態(tài)，2D GIWAXS用于研究P3HT的排列方式等（參考文獻(xiàn)：ACS NANO，2011，5，6233-6243），這些工作都可以通過(guò)小角X射線散射儀來(lái)完成，而且這些工作是掠入射一維XRD所無(wú)法完成的。另外對(duì)于嵌段共聚物薄膜，其微相分離結(jié)構(gòu)相對(duì)于硅基底的取向是很多高分子科學(xué)家感興趣的方向。由于其微相分離結(jié)構(gòu)的尺寸一般為20-30nm，正好是SAXS覆蓋的區(qū)間，因此使用2DGISAXS研究嵌段共聚物的微相分離行為稱為首要選擇。

 ▲薄膜樣品

  一維廣角X射線衍射（1D XRD）常用來(lái)表征納米以下有序結(jié)構(gòu)的信息。而在材料領(lǐng)域，關(guān)注的焦點(diǎn)是納米結(jié)構(gòu)（1-100nm），而且測(cè)試的樣品從多孔材料到聚合物到膠體以及薄膜材料等變化多端，測(cè)試的結(jié)構(gòu)可能是周期性的或無(wú)規(guī)排列的情況，這已經(jīng)遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出了XRD能夠測(cè)試的尺度范圍和樣品種類，而這些恰恰是SAXS技術(shù)這種無(wú)損檢測(cè)技術(shù)所擅長(zhǎng)的領(lǐng)域。

  總之，小角X射線散射技術(shù)是進(jìn)行材料納米結(jié)構(gòu)表征的*方法之一。這種無(wú)損的統(tǒng)計(jì)性方法結(jié)合顯微技術(shù)等可以更準(zhǔn)確和深入地揭示材料的納米結(jié)構(gòu)并指導(dǎo)材料的生產(chǎn)和制備。